BCR183E6327HTSA1
Verfügbare Menge
1 182
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Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
BCR183E6327HTSA1
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar junction transistor, PNP, 100 mA, 50 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, BCR183E6327
Technische Daten: BCR183E6327HTSA1
China RoHS
Compliant
Halogen Free
Not Halogen Free
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
900 µm
Length
2.9 mm
Width
1.3 mm
Case/Package
SOT
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Lifecycle Status
EOL (Last Updated: 4 months ago)
Collector Base Voltage (VCBO)
10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Current Rating
-100 mA
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
10 V
hFE Min
30
Input Resistance
10 kΩ
Max Breakdown Voltage
50 V
Max Collector Current
100 mA
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
200 mW
Min Operating Temperature
-65 °C
Number of Elements
1
Package Quantity
3000
Packaging
Tape & Reel
Polarity
PNP
Power Dissipation
200 mW
Transition Frequency
200 MHz
Voltage Rating (DC)
-50 V
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