BCR183E6327HTSA1
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1 182
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Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
BCR183E6327HTSA1
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar junction transistor, PNP, 100 mA, 50 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, BCR183E6327
Technische Daten: BCR183E6327HTSA1
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
China RoHS
Compliant
Halogen Free
Not Halogen Free
Length
2.9 mm
Height
900 µm
Width
1.3 mm
Case/Package
SOT
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Mount
Surface Mount
Lifecycle Status
EOL (Last Updated: 4 months ago)
Current Rating
-100 mA
Max Breakdown Voltage
50 V
Max Operating Temperature
150 °C
Number of Elements
1
Packaging
Tape & Reel
Polarity
PNP
Power Dissipation
200 mW
Voltage Rating (DC)
-50 V
Collector Base Voltage (VCBO)
10 V
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Element Configuration
Single
Emitter Base Voltage (VEBO)
10 V
Max Power Dissipation
200 mW
Min Operating Temperature
-65 °C
Transition Frequency
200 MHz
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
hFE Min
30
Input Resistance
10 kΩ
Max Collector Current
100 mA
Package Quantity
3000
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