BCR108E6327
Verfügbare Menge
2 267
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Infineon
Mpn
BCR108E6327
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar junction transistor, NPN, 100 mA, 50 V, SMD, SOT-23, BCR108E6327
Technische Daten: BCR108E6327
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Halogen Free
Not Halogen Free
Radiation Hardening
No
hFE Min
70
Polarity
NPN
Packaging
Tape & Reel
Current Rating
100 mA
Input Resistance
2.2 kΩ
Package Quantity
3000
Power Dissipation
200 mW
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
50 V
Transition Frequency
170 MHz
Element Configuration
Single
Max Breakdown Voltage
50 V
Max Collector Current
100 mA
Max Power Dissipation
200 mW
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Collector Base Voltage (VCBO)
50 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
Collector Emitter Saturation Voltage
300 mV
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