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    BCP52-16E6327

    BCP52-16E6327
    Verfügbare Menge
    1 000
    Versand möglich
    fertig zum Versand
    Standort
    AT
    Marke
    Infineon
    Mpn
    BCP52-16E6327
    Datenblatt
    Download
    Beschreibung
    Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 1A 125MHz 2W

    Technische Daten: BCP52-16E6327

    Radiation Hardening
    No
    Lead Free
    Lead Free
    China RoHS
    Compliant
    REACH SVHC
    Yes
    RoHS
    Compliant
    Mount
    Surface Mount
    Number of Pins
    4
    Number of Terminals
    4
    Case/Package
    SOT-223-4
    Lifecycle Status
    Obsolete (Last Updated: 1 month ago)
    Collector Emitter Voltage (VCEO)
    60 V
    Collector Base Voltage (VCBO)
    60 V
    hFE Min
    100
    Min Operating Temperature
    -65 °C
    Max Collector Current
    1 A
    Max Operating Temperature
    150 °C
    Number of Elements
    1
    Polarity
    PNP
    Current Rating
    -1 A
    Element Configuration
    Single
    Max Power Dissipation
    1.5 W
    Transition Frequency
    125 MHz
    Collector Emitter Breakdown Voltage
    60 V
    Emitter Base Voltage (VEBO)
    5 V
    Gain Bandwidth Product
    125 MHz
    Voltage Rating (DC)
    -60 V
    1 000 auf Lager

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