FDC637BNZ
Verfügbare Menge
6 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Fairchild Semiconductor
Mpn
FDC637BNZ
Datenblatt
Beschreibung
Trans MOSFET N-CH 20V 6.2A
Technische Daten: FDC637BNZ
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
Radiation Hardening
No
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.1 mm
Case/Package
SOT-23-6
Mount
Surface Mount
Number of Pins
6
Number of Terminals
6
Weight
36 mg
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 4 years ago)
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 4 years ago)
Turn-On Delay Time
8 ns
Continuous Drain Current (ID)
6.2 A
Drain to Source Breakdown Voltage
20 V
Drain to Source Resistance
24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Element Configuration
Single
Fall Time
6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
12 V
Input Capacitance
895 pF
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
1.6 W
Min Breakdown Voltage
20 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Nominal Vgs
800 mV
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Power Dissipation
800 mW
Rds On Max
24 mΩ
Resistance
24 MΩ
Rise Time
6 ns
Threshold Voltage
800 mV
Turn-Off Delay Time
22 ns
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