ZXMP6A17DN8TA
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3 936
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Standort
AT
Marke
Diodes Inc.
Mpn
ZXMP6A17DN8TA
Beschreibung
Trans MOSFET P-CH 60V 2.7A 8-Pin SO T/R
Technische Daten: ZXMP6A17DN8TA
Radiation Hardening
No
China RoHS
Compliant
Lead Free
Contains Lead
REACH SVHC
Yes
RoHS
Compliant
Height
1.5 mm
Length
5 mm
Width
4 mm
Number of Terminals
8
Number of Pins
8
Case/Package
SOIC
Mount
Surface Mount
Weight
73.992255 mg
Export Control Classification Number (ECCN) Code
EAR99
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 1 month ago)
Introduction Date
2002-03-01
Continuous Drain Current (ID)
2.3 A
Current Rating
-3.1 A
Drain to Source Resistance
125 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
-60 V
Element Configuration
Dual
Fall Time
11.3 ns
Max Power Dissipation
2.15 W
Min Operating Temperature
-55 °C
Rise Time
3.4 ns
Turn-On Delay Time
2.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Operating Temperature
150 °C
Resistance
125 mΩ
Min Breakdown Voltage
60 V
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Packaging
Cut Tape
Input Capacitance
637 pF
Rds On Max
125 mΩ
Turn-Off Delay Time
26.2 ns
Voltage Rating (DC)
-60 V
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