MMDT5451-7-F
Verfügbare Menge
360
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Diodes Inc.
Mpn
MMDT5451-7-F
Datenblatt
Beschreibung
MMDT5451 Series NPN/PNP 160 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-363
Technische Daten: MMDT5451-7-F
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
hFE Min
60
Polarity
NPN, PNP
Frequency
300 MHz
Packaging
Cut Tape
Max Frequency
300 MHz
Current Rating
200 mA
Power Dissipation
200 mW
Number of Elements
2
Voltage Rating (DC)
160 V
Transition Frequency
300 MHz
Element Configuration
Dual
Max Breakdown Voltage
150 V
Max Collector Current
200 mA
Max Power Dissipation
200 mW
Gain Bandwidth Product
300 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
-5 V
Continuous Collector Current
-200 mA
Collector Base Voltage (VCBO)
180 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
200 mV
Collector Emitter Breakdown Voltage
150 V
Collector Emitter Saturation Voltage
200 mV
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