DMG1012T7
Verfügbare Menge
24 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Diodes Inc.
Mpn
DMG1012T7
Beschreibung
N-MOSFET; unipolar; 20V; 0.63A; 0.4ohm
Technische Daten: DMG1012T7
China RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
Yes
Radiation Hardening
No
RoHS
Compliant
Height
900 µm
Length
1.7 mm
Width
850 µm
Contact Plating
Tin
Mount
Surface Mount
Number of Pins
3
Number of Terminals
3
Case/Package
SOT-523
Weight
2.012816 mg
Lifecycle Status
Production (Last Updated: 5 months ago)
Drain to Source Resistance
400 mΩ
Max Operating Temperature
150 °C
Max Power Dissipation
280 mW
Min Breakdown Voltage
20 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Rise Time
7.4 ns
Turn-Off Delay Time
26.7 ns
Turn-On Delay Time
5.1 ns
Continuous Drain Current (ID)
630 mA
Drain to Source Voltage (Vdss)
20 V
Element Configuration
Single
Input Capacitance
60.67 pF
Power Dissipation
280 mW
Rds On Max
400 mΩ
Resistance
400 MΩ
Drain to Source Breakdown Voltage
20 V
Fall Time
12.3 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)
6 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Threshold Voltage
1 V
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