STD13NM60N
Verfügbare Menge
730
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
STMicroelectronics
Mpn
STD13NM60N
Datenblatt
Beschreibung
N-channel 600 V, 0.28 Ohm typ., 11 A MDmesh(TM) II Power MOSFET in DPAK package
Technische Daten: STD13NM60N
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
Fall Time
10 ns
Packaging
Digi-Reel®
Rise Time
8 ns
Rds On Max
360 mΩ
Resistance
360 mΩ
Input Capacitance
790 pF
Power Dissipation
90 W
Threshold Voltage
3 V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-On Delay Time
3 ns
Turn-Off Delay Time
30 ns
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
90 W
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
280 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
Continuous Drain Current (ID)
11 A
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
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