MMBTA42LT1G
Verfügbare Menge
11 255
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fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
onsemi
Mpn
MMBTA42LT1G
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar (BJT) Transistor NPN 300 V 500 mA 50MHz 225 mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Technische Daten: MMBTA42LT1G
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
hFE Min
25
Polarity
NPN
Frequency
50 MHz
Packaging
Tape and Reel
Max Frequency
50 MHz
Current Rating
500 mA
Power Dissipation
300 mW
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
300 V
Transition Frequency
50 MHz
Element Configuration
Single
Max Breakdown Voltage
300 V
Max Collector Current
500 mA
Max Power Dissipation
225 mW
Gain Bandwidth Product
50 MHz
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
6 V
Collector Base Voltage (VCBO)
300 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
300 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
300 V
Collector Emitter Saturation Voltage
500 mV
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