FQD2N100TM
Verfügbare Menge
2 488
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
onsemi
Mpn
FQD2N100TM
Datenblatt
Beschreibung
N CHANNEL MOSFET, 1KV, 1.6mA
Technische Daten: FQD2N100TM
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
Fall Time
35 ns
Packaging
Cut Tape
Rise Time
30 ns
Rds On Max
9 Ω
Resistance
9 Ω
Nominal Vgs
5 V
Current Rating
1.6 A
Input Capacitance
520 pF
Power Dissipation
2.5 W
Threshold Voltage
5 V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-On Delay Time
13 ns
Turn-Off Delay Time
25 ns
Voltage Rating (DC)
900 V
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
2.5 W
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
7.1 Ω
Gate to Source Voltage (Vgs)
30 V
Continuous Drain Current (ID)
1.6 A
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)
1 kV
Drain to Source Breakdown Voltage
1 kV
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