SI7617DN-T1-GE3
Verfügbare Menge
12 665
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Vishay
Mpn
SI7617DN-T1-GE3
Datenblatt
Beschreibung
P CHANNEL MOSFET, -30V, 35A; Transistor; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -35A; Source
Technische Daten: SI7617DN-T1-GE3
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
Fall Time
11 ns
Rise Time
43 ns
Rds On Max
12.3 mΩ
Input Capacitance
1.8 nF
Power Dissipation
3.7 W
Threshold Voltage
-2.5 V
Number of Channels
1
Number of Elements
1
Turn-On Delay Time
11 ns
Turn-Off Delay Time
30 ns
Element Configuration
Single
Max Power Dissipation
52 W
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
10.3 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
25 V
Continuous Drain Current (ID)
-35 A
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
Drain to Source Breakdown Voltage
-30 V
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