PDTD123ET,215
Verfügbare Menge
4 000
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Nexperia
Mpn
PDTD123ET,215
Datenblatt
Beschreibung
PDTD123E_SER - NPN 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm
Technische Daten: PDTD123ET,215
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
hFE Min
40
Polarity
NPN
Packaging
Digi-Reel®
Power Dissipation
250 mW
Element Configuration
Single
Max Breakdown Voltage
50 V
Max Collector Current
500 mA
Max Power Dissipation
250 mW
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
10 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)
50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
50 V
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