IRF7341PBF
Verfügbare Menge
2 493
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fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
International Rectifier
Mpn
IRF7341PBF
Datenblatt
Beschreibung
Transistor: 2xN-MOSFET, unipolar, 55V, 4.7A, 0.05ohm, 2W, -55+150 deg.C, SMD, SO8
Technische Daten: IRF7341PBF
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Radiation Hardening
No
Fall Time
13 ns
Packaging
Bulk
Rise Time
3.2 ns
Rds On Max
50 mΩ
Resistance
50 mΩ
Nominal Vgs
1 V
Recovery Time
90 ns
Current Rating
4.7 A
Package Quantity
3800
Input Capacitance
740 pF
Power Dissipation
2 W
Threshold Voltage
1 V
Number of Elements
2
Turn-On Delay Time
8.3 ns
Dual Supply Voltage
55 V
On-State Resistance
50 mΩ
Turn-Off Delay Time
31 ns
Voltage Rating (DC)
55 V
Element Configuration
Dual
Max Power Dissipation
2 W
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Drain to Source Resistance
65 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Continuous Drain Current (ID)
4.7 A
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Drain to Source Voltage (Vdss)
55 V
Drain to Source Breakdown Voltage
55 V
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