SMBT2907AE6327HTSA1
Verfügbare Menge
9 730
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
Österreich
Marke
Infineon
Mpn
SMBT2907AE6327HTSA1
Datenblatt
Beschreibung
Bipolar junction transistor, PNP, 600 mA, 60 ## Fehler ##, SMD, SOT-23, SMBT2907AE6327
Technische Daten: SMBT2907AE6327HTSA1
RoHS
Compliant
Lead Free
Lead Free
REACH SVHC
No SVHC
Halogen Free
Not Halogen Free
Radiation Hardening
No
hFE Min
100
Polarity
PNP
Frequency
200 MHz
Packaging
Tape & Reel
Current Rating
-600 mA
Package Quantity
3000
Power Dissipation
330 mW
Number of Elements
1
Voltage Rating (DC)
-60 V
Transition Frequency
200 MHz
Max Breakdown Voltage
60 V
Max Collector Current
600 mA
Max Power Dissipation
330 mW
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Emitter Base Voltage (VEBO)
5 V
Continuous Collector Current
600 mA
Collector Base Voltage (VCBO)
60 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Collector Emitter Voltage (VCEO)
10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage
60 V
Collector Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Andere Komponenten von Infineon
Unsere Web-Plattform unterstützt OEM- und EMS-Unternehmen dabei, ihre überschüssigen Lagerbestände weltweit zu verkaufen und gleichzeitig den potenziellen Käufern beste Preise und Qualität zu bieten.
AT/USDSupport
Support
Go green
Go green
AT/USD