IRF1010ZSTRLPBF

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Standort

Österreich

Marke

Infineon

Mpn

IRF1010ZSTRLPBF

Datenblatt

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Beschreibung

Single N-Channel 55 V 7.5 mOhm 95 nC HEXFET® Power Mosfet - D2PAK

Technische Daten: IRF1010ZSTRLPBF

RoHS

Compliant

Lead Free

Radiation Hardening

Fall Time

92 ns

Rise Time

150 ns

Rds On Max

7.5 mΩ

Package Quantity

800

Input Capacitance

2.84 nF

Power Dissipation

140 W

Number of Channels

Number of Elements

Turn-On Delay Time

18 ns

On-State Resistance

7.5 mΩ

Turn-Off Delay Time

36 ns

Max Power Dissipation

140 W

Max Operating Temperature

175 °C

Min Operating Temperature

-55 °C

Drain to Source Resistance

5.8 mΩ

Gate to Source Voltage (Vgs)

20 V

Continuous Drain Current (ID)

75 A

Max Junction Temperature (Tj)

175 °C

Drain to Source Voltage (Vdss)

55 V

Drain to Source Breakdown Voltage

55 V

49 auf Lager

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