BSO615NGXUMA1
Verfügbare Menge
12 500
Versand möglich
fertig zum Versand
Standort
AT
Marke
Infineon
Mpn
BSO615NGXUMA1
Datenblatt
Beschreibung
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
Technische Daten: BSO615NGXUMA1
China RoHS
Compliant
Ratings
AEC-Q101
REACH SVHC
Unaffected
RoHS
Compliant
Height
1.75 mm
Case/Package
SO
Number of Terminals
8
Export Control Classification Number (ECCN) Code
EAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code
8541.29.00.95
Introduction Date
2007-02-21
Lifecycle Status
Obsolete (Last Updated: 8 months ago)
LTB Date
2024-04-30
LTD Date
2025-10-31
Continuous Drain Current (ID)
2.6 A
Drain to Source Breakdown Voltage
60 V
Drain to Source Resistance
150 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)
60 V
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Max Junction Temperature (Tj)
150 °C
Max Operating Temperature
150 °C
Min Breakdown Voltage
60 V
Min Operating Temperature
-55 °C
Number of Channels
2
Number of Elements
2
Power Dissipation
2 W
Turn-Off Delay Time
20 ns
Turn-On Delay Time
12 ns
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